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BPD3010

样品申请
简述
BPD3010是一款5V栅压MOS半桥驱动芯片，驱动高侧和低侧NMOS。PWM输入控制高侧和低侧NMOS Gate，第三态可以同时关断高侧和低侧MOS。能够快速驱动大电流MOS，适合多相同步整流Buck应用。BPD3010内置自举开关电路，等效自举二极管来给外部自举电容充电，简化了外围器件。BPD3010内置防直通保护，同时检测高侧和低侧的MOS栅源电压以及输出电压，防止直通。BPD3010的EN可以控制关断高低侧MOS，进入低功耗待机模式。
优势

    高侧电源最高耐压40V

    大驱动能力

    内置自举开关

    内置防直通保护

    PWM支持3.3V/5V逻辑，第三态控制

    EN待机关闭高低侧MOS

    内置欠压保护功能

    WDFN2x2-8封装

应用领域
  • 显卡Core供电
  • 中央处理器Core供电
  • 服务器Vcore供电
  • 人工智能Vcore供电
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